永源微代理商 AP15N04S 40V N沟道增强型MOSFET(永源旗舰店)
更新时间：2025-12-23 06:54:52
描述；
AP15N04S采用先进的沟槽技术，具有出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
特征；
漏源电压（VDS）=40V 漏极电流（ID）=15A
在栅源电压（VGS）=10V时，导通电阻（RDS(ON)）<13mΩ（典型值：10.5mΩ）
应用；
电池保护
负载开关
不间断电源
详情请咨询我司业务15986786916
